Samsung Electronicsは、業界初となる「HBM4」の量産と出荷を始めたと発表した。
HBM4は、第6世代10nm級DRAMプロセス(1c)と4nmロジックプロセスを採用した広帯域メモリ。転送速度は11.7Gbpsで、最大13Gbpsまで対応可能としている。これは業界標準の8Gbpsより約46%、前世代のHBM3E(9.6Gbps)より22%高速。また、1スタックあたりのメモリ帯域幅は最大3.3TB/sとなり、HBM3Eの2.7倍に達するという。
データI/Oピンが従来の1,024ピンから2,048ピンへ倍増したことによる消費電力と発熱の増加は、低電圧シリコン貫通電極技術や電力供給ネットワークの最適化により対処した。電力効率をHBM3E比で40%改善し、熱抵抗は10%、放熱性は30%向上している。
容量は12層積層技術を用いた24GBおよび36GBを用意するほか、将来的には16層積層による48GBモデルも提供予定。
同社は2026年のHBM売上が前年比で3倍以上になるとの見込みを示し、2026年下半期に「HBM4E」のサンプル出荷を、2027年には顧客仕様に合わせたカスタムHBMの出荷を開始する予定だとした。